postgres 江崎玲于奈（Leo Esaki，1925年3月12日—）是日本物理学家，因发现半导体中的电子隧穿效应获1973年诺贝尔物理学奖，发明了江崎二极管，也是半导体超晶格研究的先驱。 /ko/people/leo-esaki/relation.html person_nobel_97 person leo-esaki Leo Esaki

江崎玲于奈（Leo Esaki，1925年3月12日—）是日本物理学家，因发现半导体中的电子隧穿效应获1973年诺贝尔物理学奖，发明了江崎二极管，也是半导体超晶格研究的先驱。

published category-awards category-people tag-nobel-prize s1 The Nobel Foundation https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1973/esaki/facts/ s2 The Nobel Foundation https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1973/summary/ s3 https://www.nobelprize.org/prizes/physics/1973/esaki/biographical/ s4 https://zh.wikipedia.org/wiki/%E6%B1%9F%E5%B4%8E%E7%8E%B2%E6%96%BC%E5%A5%88 2026-11-01T03:38:01+08:00 2026-11-02T12:24:25+08:00 user:admin 4 **江崎玲于奈**（Leo Esaki，1925年3月12日—）出生于大阪市（日本）。 ## 获奖 1973 年诺贝尔物理学奖由 3 位得主共享，江崎玲于奈占其中 1/4 份，官方获奖理由（官方原文）：“for their experimental discoveries regarding tunneling phenomena in semiconductors and superconductors, respectively”[^s1]。获奖时所属机构为 IBM Thomas J. Watson Research Center，所在地为高地（美国）[^s1]。 ## 生平与职业生涯 江崎生于大阪，1947年毕业于东京大学，起初在川西机械制作所研究真空管阴极热电子发射，受晶体管发明鼓舞转向半导体研究[^s4]。1956年他转入东京通信工业公司（今索尼）任半导体研究室主任研究员，1960年移居美国，加入IBM托马斯·沃森研究中心，1967年任IBM院士[^s4]。 ## 主要成就 1957年，江崎在研究重掺杂锗PN结时发现：结区变薄后电流-电压特性出现负阻区，即电压增大、电流反而减小，他把这一现象解释为电子隧穿效应[^s4]。这是固体中首次观测到的隧穿效应，由此诞生的隧道二极管（江崎二极管）是第一个量子电子器件[^s4]。在IBM，他与朱兆祥等人提出半导体超晶格概念，用分子束外延生长人工周期结构，开辟了量子阱器件研究[^s4]。 ## 参见 [[work_nobel_prize_1973|1973 年诺贝尔奖]]、[[concept_nobel_prize|诺贝尔奖]] /people/leo-esaki.html ko true zh 1925 3 12 day 1925年3月12日 物理学家 ko zh true birth_date Birth 1925年3月12日 occupations Occupations 物理学家 1 50 0 0