江崎玲于奈（Leo Esaki，1925年3月12日—）出生于大阪市（日本）。
获奖
1973 年诺贝尔物理学奖由 3 位得主共享，江崎玲于奈占其中 1/4 份，官方获奖理由（官方原文）：“for their experimental discoveries regarding tunneling phenomena in semiconductors and superconductors, respectively”[1]。获奖时所属机构为 IBM Thomas J. Watson Research Center，所在地为高地（美国）[1]。
生平与职业生涯
江崎生于大阪，1947年毕业于东京大学，起初在川西机械制作所研究真空管阴极热电子发射，受晶体管发明鼓舞转向半导体研究[4]。1956年他转入东京通信工业公司（今索尼）任半导体研究室主任研究员，1960年移居美国，加入IBM托马斯·沃森研究中心，1967年任IBM院士[4]。
主要成就
1957年，江崎在研究重掺杂锗PN结时发现：结区变薄后电流-电压特性出现负阻区，即电压增大、电流反而减小，他把这一现象解释为电子隧穿效应[4]。这是固体中首次观测到的隧穿效应，由此诞生的隧道二极管（江崎二极管）是第一个量子电子器件[4]。在IBM，他与朱兆祥等人提出半导体超晶格概念，用分子束外延生长人工周期结构，开辟了量子阱器件研究[4]。