威廉·肖克利（William Bradford Shockley，1910年2月13日—1989年8月12日）出生于伦敦（英国），1989年8月12日在帕洛阿尔托（美国）去世。
获奖
1956 年诺贝尔物理学奖由 3 位得主共享，威廉·肖克利占其中 1/3 份，官方获奖理由（官方原文）：“for their researches on semiconductors and their discovery of the transistor effect”[1]。获奖时所属机构为 Semiconductor Laboratory of Beckman Instruments, Inc.，所在地为山景城（美国）[1]。