ยังไม่มีคำแปล กำลังแสดงต้นฉบับ ต้นฉบับ: 简体中文

ผลงาน · work_ieee_p3465_d3_oct_2026

IEEE Std P3465/D3, Oct 2026 · เวอร์ชันเนื้อหา

IEEE Std P3465/D3, Oct 2026 是电气电子工程师学会的草案，题为“IEEE Draft Standard for Magnetic Field Immunity Verification of Magnetoresistive Random Access Memory”；公开目录标为现行（Active），著录年份为 2026 年。